NVRAM非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)

taossd

NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)，是指断电后仍能保持数据的一种RAM。
通俗地解释非易失性存储器，那就是指断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器。

之所以加如此的定语，是因为：
1.通常的随机访问存储器掉电后数据就丢失。随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），断电之后信息就丢失了。其中，DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成），DDR SDRAM（有一个晶体管组成），DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据，使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ，和采用RSL技术的RDRAM，Direct RDRAM），
2.NVRAM需要能够随机访问。因此有些解释中，说Flash是属于NVRAM，是不完全准确的。因为从严格意义上来说，Flash分有两种：nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的，而nand flash不是真正的随机访问，属于顺序访问（serial access）。

目前常见的NVRAM
1.带有备用电源的SRAM
2.借助NVM（比如E2PROM、大电容+Flush）存储SRAM的信息并恢复来实现非易失性。